Описание настроек Award Setup BIOS
Bios
Features Setup
Chipset Features Setup
(1)
Chipset Features Setup
(2)
PnP/PCI
Configuration Setup
Power Management
Setup
Fan
Monitor
Therminal
Monitor
Voltage
Monitor
CHIPSET FEATURES Setup
(1)
AUTO
Configuration
(автоматическая
конфигурация)
- имеет 3
значения:
60 ns - устанавливает парамеры доступа для
DRAM с быстродействием 60
ns
70 ns -
то же для памяти с быстродействием 70
ns
Disabled (запрещена) - позволяет установить любые возможные параметры
доступа к DRAM памяти.
DRAM
RAS# Precharge Time
(время предварительного
заряда по RAS)
- Эта функция позволяет
определить количество тактов системной шины для формирования
сигнала RAS. Уменьшение этого значения увеличивает быстродействие,
но чрезмерное для конкретной памяти уменьшение может
привести к потере данных.
Принимает
значения:
3 и 4.
DRAM R/W Leadoff
Timing
(число тактов при подготовке выполнения
операции чтения/записи)
- определяет число
тактов на шине до выполнения любых операций с DRAM.
Параметр может принимать
значения:
8/7 - восемь тактов для чтения и семь тактов для
записи
7/5
- семь тактов для чтения и пять тактов для записи.
DRAM RAS to CAS
Delay
(задержка между RAS и
CAS)
- Во время доступа к памяти обращения к
столбцам и строкам выполняются отдельно друг от друга. Этот параметр и
определяет отстояние одного сигнала от другого. Уменьшение значения
увеличивает быстродействие.
Параметр может принимать
значения:
3 - три такта
задержки
2
- два такта задержки.
DRAM
Read Burst Timing
(время пакетного чтения
памяти)
- Запрос на чтение и запись
генерируется процессором в четыре раздельные фазы. В первой
фазе инициируется обращение к конкретной области памяти, а в
оставшихся происходит собственно чтение данных.
Уменьшение суммарного количества тактов
увеличивает быстродействие.
Параметр может
принимать значения: x2222 - два такта
задержки;
x3333 - три такта
задержки
x4444
- четыре такта задержки.
Speculative Leadoff
(опережающая выдача сигнала
чтения)
- разрешение этого параметра
позволяет выдавать сигнал чтения немного ранее, чем адрес
будет декодирован. Этот прием снижает общие затраты времени на операцию чтения.
Другими словами, процессор будет инициировать сигнал чтения одновременно с
генерацией того адреса, где находятся необходимые данные. Сигнал
чтения воспринимается контроллером DRAM и, если параметр Speculative
Leadoff разрешен, то контроллер выдаст сигнал чтения до
завершения декодирования адреса.
Может принимать
значения:
Enabled -
разрешено
Disabled - запрещено.
Turn-Around Insertion
(задержка между
циклами)
- Если этот параметр разрешен
(Enabled), то между двумя последовательными циклами обращения к памяти
включается один дополнительный такт. Разрешение уменьшает быстродействие,
но увеличивает достоверность при операциях
чтения/записи.
Может принимать
значения:
Enabled -
разрешено
Disabled - запрещено.
Data
Integrity (PAR/ECC)
(целостность
данных)
- разрешает/запрещает контроль памяти
на ошибки. Вид контроля устанавливается параметром DRAM ECC/PARITY
Select.
Может принимать
значения:
Enabled -
разрешено
Disabled - запрещено.
DRAM
ECC/PARITY Select
(режим коррекции
ошибок/проверка по четности)
- Параметр
появляется только для набора 430HX (например, в материнской плате ASUSTeK
P/I-P55T2P4) или 440FX/LX и только в том случае, если
установлены модули памяти с истинной четностью. В некоторых вариантах BIOS
этим параметром может устанавливаться
только вид проверки, а
разрешение на проверку устанавливается параметром Data Integrity
(PAR/ECC). Такие планки часто называют также
36-разрядными.
Может принимать
значения:
Parity - в случае возникновения ошибки на монитор выдается сообщение о сбое
по четности в памяти и работа компьютера
останавливается;
ECC - (Error Control Correction) в случае возникновения одиночной ошибки она
исправляется и работа продолжается. Если имеет место не одиночная
ошибка, то работа компьютера также прекращается. Следует только учесть,
что по данным Intel, скорость обмена с памятью при
включении этого режима уменьшается приблизительно на 3%.
Fast RAS# to CAS#
Delay
(интервал между RAS и
CAS)
- При регенерации памяти строки и
столбцы адресуются отдельно, поэтому этот параметр устанавливает
интервал между сигналами RAS и CAS.
SDRAM
Configuration
(Конфигурация
SDRAM)
- параметром определяется,
должна ли программа BIOS сама определять временные характеристики доступа к
памяти на основании информации из блока SPD или разрешить это
сделать пользователю.
Может принимать
значения:
By
SPD - параметры доступа устанавливаются по
SPD;
7
ns (143 Mhz) - параметры доступа устанавливаются BIOS как для памяти
с временем доступа 7 ns и частотой шины 143
MHz
8
ns (125 Mhz) - параметры доступа устанавливаются BIOS как для памяти
с временем доступа 8 ns и частотой шины 125
MHz
Disabled - устанавливаются пользователем.
SDRAM RAS Precharge
Time
(Cинхронная память - время
предварительного заряда)
- параметр позволяет
определять быстрое или медленное накопление заряда по RAS до начала цикла
регенерации памяти. Установка значения Fast увеличивает быстродействие,
но Slow повышает стабильность работы компьютера, поэтому
значение Fast следует устанавливать в случае уверенности
в качестве памяти.
Может принимать
значения:
Fast -
быстро
Slow - медленно.
SDRAM (CAS
Lat/RAS-to-CAS )
(Cинхронная память - задержка
CAS/От RAS к CAS)
- этот
параметр позволяет комбинировать между длительностью
сигнала CAS и задержкой между сигналами RAS и CAS.
Значение этого параметра зависит от характеристик SDRAM, примененной
в материнской плате и от быстродействия процессора. Поэтому изменять этот
параметр стоит крайне осторожно.
Может принимать
значения:
2/2
3/3.
SDRAM CAS to RAS
Delay
(задержка между CAS и
RAS)
- параметр определяет значение задержки
после выдачи сигнала RAS до появления сигнала CAS для синхронной
памяти. Чем меньше это значение, тем быстрее доступ к памяти.
Тем не менее изменять его следует осторожно.
Параметр
может принимать
значения:
3 - три такта
задержки
2
- два такта задержки.
SDRAM
CAS# Latency
(задержка CAS для
SDRAM)
- Устанавливает значение задержки
выдачи сигнала CAS для SDRAM. Меньшее значение
увеличивает производительность системы. Рекомендуется устанавливать
меньшее значение для SDRAM с быстродействием 10 nc или
лучше.
Может принимать
значения:
2T
3T.
SDRAM Banks Close
Policy
(правила закрытия банков SDRAM
памяти)
- параметр был введен для плат с
набором 440LX из-за того, что память с 2-х банковой
организацией некорректно работает в этих платах, если
параметры доступа к банкам памяти установлены по
умолчанию. В наборе 430TX этого не требовалось, так правила доступа для
различной памяти были одинаковы. Изменять установки BIOS по умолчанию для этого
параметра следует только в случае нестабильной работы
памяти.
Может принимать
значения:
Page Miss - используется для двухбанковой
памяти
Arbitration - для памяти из 4-х банков.
DRAM Idle
Timer
(Таймер пассивного состояния
памяти)
- этим параметром
устанавливается время (в тактах) до закрытия всех открытых страниц памяти.
Влияет как на EDO так и на SDRAM
память.
Может принимать
значения:
0, 2, 4, 8, 10, 12, 16, 32.
Snoop Ahead
(Предсказание)
- разрешение этогопараметра
позволяет потоковый обмен данными между PCI и памятью.
Может принимать
значения:
Enabled -
разрешено
Disabled - запрещено.
Host
Bus Fast Data Ready
(Быстрая готовность данных
на шине)
- разрешение этого параметра
позволит снимать данные с шины одновременно с их выборкой. В
противном случае данные будут удерживаться на шине один
дополнительный такт.
Может принимать
значения:
Enabled -
разрешено
Disabled - запрещено.
Refresh
RAS# Assertion
(задание RAS для
регенерации)
- Этим параметром
устанавливается количество тактов (т.е. длительность
RAS) для цикла регенерации. Принимаемые значения определяются качеством памяти и
набором микросхем (chipset). Меньшее значение увеличивает
производительность.
