BIOS

Ускорение работы памяти с помощью установок в BIOS

Важный момент в выборе модулей, которые работают на повышенных частотах (более 100 МГц) - определение указанного на чипах "времени доступа" в наносекундах. Чипы с 10 нс в большинстве случаев плохо функционируют при частотах свыше 112 МГц (обозначение заканчивается на -10 или 10Х , где Х - какая либо буква). Модуль с 8 нс позволяет стабильно работать на 125, часто 133 МГц (обозначение как правило заканчивается на 8 , -8 , -8Х , Х -какая либо буква или -80 ). Модули памяти с временем доступа 7,5 нс стабильно работают на частоте 133 МГц и выше (обозначение заканчивается на 75 ).
Внимание - модули, обозначение которых заканчивается на -7Х или 60 , не имеют никакого отношения к сверхбыстрой памяти с временем доступа 7 или 6 нс - чаще всего это старые выпуски с доступом 10 нс .

А теперь, мы опишем более тонкие настройки памяти в BIOS для быстрой работы вашего PC.
...CHIPSET FEATURES SETUP
DRAM RAS# Precharge Time (время предварительного заряда по RAS)
Параметр, определяющий количество тактов системной шины для формирования сигнала RAS. Чем меньше это значение , тем быстрее будет работать память. Однако не всякая память выдержит такой настройки, поэтому могут наблюдаться сбои.

3 - быстрая настройка

4 - медленная настройка
DRAM R/W Leadoff Timing (задержки, waitstate - при подготовке выполнения операций с памятью)
Здесь определяется число тактов шины до выполнения операций чтения и записи. Сначало идет операция чтения, а через ( / ) слэш - для записи.

8/7 - медленно

7/5 - быстро
DRAM RAS to CAS Delay (задержка между сигналами RAS и CAS)
Чем меньше задержка - тем лучше.

3 - медленно

2 - быстро
DRAM Read Burst Timing (тайминги для чтения из памяти в пакетном режиме)
Пакетный режим - это в первой части происходит обращение к конкретной области памяти, а в оставшихся происходит само чтение. Меньше - лучше.

x2222

x3333

x4444
SDRAM RAS Precharge Time (время предварительного заряда RAS для синхронной памяти)
Принимает следующие значения:

Fast - быстрая зарядка (отлично)

Slow - медленная зарядка
SDRAM CAS# Latency (задержка для синхронной памяти)
Торможение CAS. Можно поставить:

2T - два такта (быстро)

3T - три такта (медленно)
Command per Cycle (команда за такт)
Параметр разрешает или запрещает выполнение команд за один такт. Существенно повышает производительность. Рекомендуемое значение:

Enabled - разрешить

Наш адрес: http://vodka.webprovider.com